學習模擬電子技術基礎，和電子技術相關領域的朋友，在學習構建功率放大器電路時(shi)最常見的電子元器件就是三極(ji)管(guan)和場效應管(guan)（MOS管(guan)）了。那么(me)三極(ji)管(guan)和MOS管(guan)有哪些聯系和區別呢(ni)(ni)？在(zai)構(gou)建功(gong)率(lv)放大器電路時(shi)我(wo)們要(yao)怎么(me)選(xuan)擇呢(ni)(ni)？

首先(xian)我們明確一下(xia)二(er)者(zhe)的概念

三極(ji)管：全稱應為半導體(ti)三極(ji)管，也稱雙極(ji)型(xing)晶體(ti)管、晶體(ti)三極(ji)管，是(shi)一種(zhong)控制電流(liu)的半導體(ti)器件(jian)，其作用(yong)(yong)是(shi)把微(wei)弱信(xin)號(hao)放(fang)大成幅(fu)度值較大的電信(xin)號(hao)， 也用(yong)(yong)作無(wu)觸點(dian)開關(guan)。

場效應(ying)管(guan)（MOS管(guan)）：是場效應(ying)管(guan)的(de)一種(zhong)，是利用控(kong)制輸(shu)入(ru)回路的(de)電場效應(ying)來控(kong)制輸(shu)出回路電流的(de)一種(zhong)半導體器件。

二者具有以下區別：

1、從結(jie)構來講，MOS管有一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)金屬柵極(ji)(ji)、一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)絕(jue)緣層和一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)半導體底(di)座，而三極(ji)(ji)管有一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)集電極(ji)(ji)、一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)基極(ji)(ji)和一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)發射極(ji)(ji)。MOS管是一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)四極(ji)(ji)器(qi)件，而三極(ji)(ji)管是一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)三極(ji)(ji)器(qi)件；

2、從(cong)控制(zhi)方式(shi)來講，MOS管通過(guo)在柵極(ji)(ji)(ji)和(he)底座之間施加電場(chang)來控制(zhi)電流， 而三極(ji)(ji)(ji)管則是通過(guo)在基(ji)極(ji)(ji)(ji)和(he)發射極(ji)(ji)(ji)之間施加電流來控制(zhi)電流；

3、從輸(shu)入(ru)電(dian)阻來講，MOS管的輸(shu)入(ru)電(dian)阻很高， 通常在數兆(zhao)歐姆(mu)到數百兆(zhao)歐姆(mu)之間(jian)，而(er)三(san)極管的輸(shu)入(ru)電(dian)阻相對較低，通常在幾(ji)千歐姆(mu)到幾(ji)十萬(wan)歐姆(mu)之間(jian)；

4、從輸(shu)入電容(rong)(rong)來講，MOS管(guan)的(de)輸(shu)出電容(rong)(rong)較小，通(tong)常在幾皮法(fa)到(dao)幾納(na)法(fa)之間，而三極管(guan)的(de)輸(shu)出電容(rong)(rong)較大，通(tong)常在幾十皮法(fa)到(dao)幾百皮法(fa)之間；

5、從開(kai)關(guan)速度來講(jiang)，MOS管具有更快(kuai)的(de)(de)(de)開(kai)關(guan)速度和更小的(de)(de)(de)開(kai)關(guan)損耗(hao)， 這使它們在(zai)高(gao)頻應(ying)(ying)用中(zhong)更為常見。三極管的(de)(de)(de)開(kai)關(guan)速度較慢，但在(zai)低頻和功率應(ying)(ying)用中(zhong)具有優勢；

6、從噪(zao)聲來(lai)講，MOS管的噪(zao)聲水平(ping)通(tong)常比三(san)極管低；

7、從電壓(ya)容(rong)忍(ren)度來講，電壓(ya)容(rong)忍(ren)度: MOS管的(de)電壓(ya)容(rong)忍(ren)度比三(san)極管高；

8、從可靠(kao)性來講(jiang)，可靠(kao)性: MOS管(guan)在高(gao)溫(wen)環境下具(ju)有(you)較好的(de)穩定性，而三極管(guan)則(ze)在高(gao)溫(wen)環境下容易損壞。

在(zai)功(gong)率放(fang)大器電路中應(ying)用的(de)(de)三(san)極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)和(he)場效(xiao)應(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)（MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)）因為其(qi)制(zhi)造工藝不同，相同制(zhi)造價格下，其(qi)擊(ji)DS極(ji)(ji)(ji)擊(ji)穿(chuan)電壓普遍比三(san)極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)高，所以現在(zai)的(de)(de)功(gong)率放(fang)大器開關電源大部分都使用場效(xiao)應(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)做開關管(guan)(guan)(guan)(guan)。還有一類開關特性(xing)更(geng)好的(de)(de)器件(jian)IGBT，它(ta)結(jie)合了三(san)極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)和(he)場效(xiao)應(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)優點，使用在(zai)更(geng)高的(de)(de)功(gong)率和(he)更(geng)高的(de)(de)電壓下，比如電磁爐。

 ATA-7050高壓放大器

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