實驗名稱：功率放大器在驅動非載流子(zi)注入(ru)micro-LED上的應(ying)用

　　研究方向：半導體器件，光(guang)電子器件，micro-LED

　　實驗內容：

　　1、制備了一種絕(jue)緣層為氧化(hua)鋁的(de)非載流子注入micro-LED器(qi)件(jian)；

　　2、采(cai)用信號發(fa)生器(qi)(qi)產生交(jiao)流(liu)(liu)信號，并(bing)通過安(an)泰功(gong)率放(fang)大器(qi)(qi)放(fang)大輸出，驅動(dong)非載流(liu)(liu)子注入micro-LED。實現了非載流(liu)(liu)子注入micro-LED的(de)寬電壓工作窗口(kou)。測試目的(de)：采(cai)用交(jiao)流(liu)(liu)高頻高壓電源驅動(dong)非載流(liu)(liu)子注入micro-LED，并(bing)記(ji)錄器(qi)(qi)件(jian)的(de)光電特性。

　　測(ce)試(shi)設備：信號發生器、Aigtek ATA-61220放(fang)大(da)器、示(shi)波器、光(guang)電倍增管

　　實驗過程：采用(yong)原(yuan)子(zi)(zi)層(ceng)沉積法在(zai)micro-LED上沉積不同厚度的氧化鋁(lv)絕緣(yuan)層(ceng)以制備(bei)非載(zai)流子(zi)(zi)注(zhu)入micro-LED，并采用(yong)信號發生(sheng)器+功率放大器放大輸(shu)出具有固(gu)定頻率幅度的交流高壓(ya)(ya)，在(zai)器件(jian)(jian)兩端施加由放大器放大后的電(dian)壓(ya)(ya)以驅動非載(zai)流子(zi)(zi)注(zhu)入micro-LED使其產生(sheng)電(dian)致發光。改變驅動電(dian)壓(ya)(ya)、頻率并利用(yong)雪崩(beng)光電(dian)倍增管，示(shi)波器等(deng)記(ji)錄(lu)器件(jian)(jian)的光電(dian)特性。

　　測試結(jie)果(guo)：展示了一種提高(gao)Micro-LED亮(liang)度穩(wen)健性(xing)的(de)(de)(de)(de)工作模式，驗證(zheng)了交流驅(qu)動Micro-LED在無載流子注入模式下(xia)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)致發光。通過改變(bian)(bian)交流電(dian)(dian)源的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓、頻率，優化介電(dian)(dian)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度，實現了Micro-LED器(qi)件(jian)較寬的(de)(de)(de)(de)工作電(dian)(dian)壓窗口，即在某個電(dian)(dian)壓范(fan)圍內器(qi)件(jian)亮(liang)度基本保持不變(bian)(bian)。結(jie)果(guo)表明(ming)，在12MHz頻率驅(qu)動下(xia)，器(qi)件(jian)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)流趨于(yu)飽(bao)和，而增大電(dian)(dian)壓只(zhi)會(hui)增加飽(bao)和電(dian)(dian)流的(de)(de)(de)(de)最(zui)(zui)大值；且(qie)具有(you)(you)15nm厚(hou)氧(yang)化鋁層(ceng)的(de)(de)(de)(de)器(qi)件(jian)具有(you)(you)最(zui)(zui)大的(de)(de)(de)(de)工作電(dian)(dian)壓窗(約12v)以(yi)及在電(dian)(dian)壓波(bo)動下(xia)具有(you)(you)最(zui)(zui)強的(de)(de)(de)(de)亮(liang)度穩(wen)健性(xing)。

　　ATA-61220寬帶放大器

　　輸出(chu)(chu)形式(shi)：差分輸出(chu)(chu)

　　帶寬（-3dB）：DC~21MHz

　　最大輸出(chu)電壓：60Vp-p（±30Vp）500mAp（DC~50Hz）

　　最大輸出功率：30Wp

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