隨著IT技術的不斷發展，對于非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度要求越來越快，功耗要求越來越小，現有的傳統非易失性存儲器，如EEPROM、FLASH等已經難以滿足這些需要了。同傳統的非易失性存儲器相比，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性，因此受到很大關注。今天Aigtek安泰電子就給大家介紹一下和鐵電材料密切相關的鐵電存儲器（FRAM），以及功率放大器在鐵(tie)電存儲器（FRAM）鐵(tie)電疇的高壓極化測試中的應(ying)用。

　　一、鐵電存儲器的定(ding)義

　　鐵(tie)電(dian)存儲(chu)器(qi)(FRAM，ferroelectricRAM)是一種隨(sui)機存取(qu)存儲(chu)器(qi)，它將(jiang)動態(tai)隨(sui)機存取(qu)存儲(chu)器(qi)(DRAM)的快速讀(du)取(qu)和寫入訪問結合起(qi)來。由(you)于鐵(tie)電(dian)存儲(chu)器(qi)不像動態(tai)隨(sui)機存取(qu)存儲(chu)器(qi)(DRAM)和靜態(tai)隨(sui)機存取(qu)存儲(chu)器(qi)(SRAM)一樣密集，它很可(ke)能不能取(qu)代這些技(ji)術。

　　二、鐵電存儲器(qi)的工作原理

　　FRAM利(li)用(yong)鐵(tie)(tie)電(dian)(dian)晶(jing)體(ti)的(de)(de)(de)鐵(tie)(tie)電(dian)(dian)效(xiao)應(ying)實現(xian)數據(ju)(ju)存(cun)儲。鐵(tie)(tie)電(dian)(dian)效(xiao)應(ying)是(shi)指在鐵(tie)(tie)晶(jing)體(ti)上施加(jia)一(yi)定(ding)電(dian)(dian)場(chang)(chang)時(shi)，晶(jing)體(ti)中心(xin)原子在電(dian)(dian)場(chang)(chang)的(de)(de)(de)作用(yong)下移動，達到(dao)(dao)穩定(ding)狀(zhuang)態;當電(dian)(dian)場(chang)(chang)從晶(jing)體(ti)中移除時(shi)，中心(xin)原子將(jiang)保持(chi)在原始位(wei)置(zhi)。這(zhe)是(shi)因為晶(jing)體(ti)的(de)(de)(de)中間(jian)層是(shi)一(yi)個高能(neng)階(jie)，當沒(mei)有獲得外部能(neng)量時(shi)，中心(xin)原子不(bu)能(neng)超(chao)過高能(neng)階(jie)到(dao)(dao)達另一(yi)個穩定(ding)位(wei)置(zhi)。因此，FRAM不(bu)需(xu)要(yao)電(dian)(dian)壓來(lai)保持(chi)數據(ju)(ju)，也不(bu)需(xu)要(yao)像DRAM那樣定(ding)期刷新。由于鐵(tie)(tie)電(dian)(dian)效(xiao)應(ying)是(shi)鐵(tie)(tie)電(dian)(dian)晶(jing)體(ti)所(suo)固有的(de)(de)(de)一(yi)種偏(pian)振極(ji)化特(te)性(xing)，與電(dian)(dian)磁作用(yong)無關，所(suo)以FRAM存(cun)儲器的(de)(de)(de)內容不(bu)會受到(dao)(dao)外界條件(jian)諸(zhu)如磁場(chang)(chang)因素的(de)(de)(de)影響，能(neng)夠同(tong)普通(tong)ROM存(cun)儲器一(yi)樣使用(yong)，具有非易(yi)失性(xing)的(de)(de)(de)存(cun)儲特(te)性(xing)。

　　FRAM的(de)特(te)點是速度快，可以像RAM一樣操作，讀寫功(gong)耗極低(di)，不存在E2PROM等(deng)最(zui)大寫作次數(shu)的(de)問題。然(ran)而，受鐵晶體特(te)性的(de)限制，FRAM的(de)訪(fang)問次數(shu)仍(reng)然(ran)最(zui)多(duo)。

　　三、鐵電存(cun)儲器(qi)應用

　　由于鐵電(dian)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)可(ke)以(yi)在非常低的電(dian)能(neng)需求下快速存(cun)(cun)儲(chu)(chu)，因此有望(wang)廣泛應用(yong)于消(xiao)費者的小型設備(bei)中(zhong)(zhong)，如個(ge)人數(shu)字助理(PDA)、手(shou)機、電(dian)源表、智能(neng)卡和安全系統。鐵電(dian)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(FRAM)比閃存(cun)(cun)快。在某些(xie)應用(yong)中(zhong)(zhong)，它(ta)也可(ke)能(neng)取(qu)(qu)代電(dian)能(neng)擦(ca)除只讀存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(EEPROM)和靜態隨(sui)機存(cun)(cun)取(qu)(qu)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(SRAM)，成為未來無線產品的關鍵元件。

　　以(yi)上就是關于鐵(tie)(tie)電存儲(chu)器的原理與應(ying)用，以(yi)及(ji)功率(lv)放大(da)(da)器在(zai)鐵(tie)(tie)電存儲(chu)器（FRAM）鐵(tie)(tie)電疇的高(gao)壓極化測試中的應(ying)用的全部內(nei)容(rong)分享(xiang)，相信大(da)(da)家看完之(zhi)后(hou)對高(gao)壓放大(da)(da)器以(yi)及(ji)鐵(tie)(tie)電存儲(chu)器有了更深的了解，更多精彩歡迎持續關注我們(men)。

　　功率放大器在鐵電材料極化測試中的應(ying)用

　　對于鐵電材料極化測試，我們的ATA-7000系列高壓放大器能很好地勝任此工作，在鐵電材料極化測試中也有著良好應用，它是一款理想的可放大交、直流信號的高壓放大器。單端輸出20kVp-p（±10kVp）高(gao)壓，可(ke)(ke)以驅動高(gao)壓型負(fu)載(zai)。電壓增(zeng)益數控可(ke)(ke)調，一鍵保存常用設置(zhi)，為您提(ti)供(gong)了方便簡潔的操作選(xuan)擇，參(can)數指標可(ke)(ke)進行個(ge)性(xing)化定制。

　　最(zui)大輸出電壓20kVp-p（±10kVp）

　　帶(dai)寬（-3dB）DC~100kHz

　　最大輸出(chu)電流(liu)40mAp

　　驅動高壓型負載

西安安泰(tai)電子是專業從事功率放大器、高(gao)壓放大(da)器(qi)、功率信號源、前置微小信號放大器、高(gao)精(jing)度電(dian)壓源、高(gao)精(jing)度電(dian)流(liu)源等電(dian)子(zi)測量儀(yi)器(qi)研發、生產和銷售的(de)高(gao)科(ke)技企(qi)業，為用(yong)戶提供具有競爭力的(de)測試方案。Aigtek已經(jing)成為在業界擁有廣泛(fan)產品(pin)線，且具有相當規(gui)模的(de)儀(yi)器(qi)設備供應(ying)商，樣(yang)機都支持免費(fei)試用(yong)。如想了解更多功率放大器(qi)等產品(pin)，請持續關注安泰電(dian)子(zi)官網hkdyw.cn或撥打029-88865020。