隨著半導體行業的不斷發展，半導體芯片制造工業不斷推進，其工藝的水平直接決定了芯片生產的質量和效率。薄膜沉積是芯片制造前道工藝中的核心工藝之一，是決定薄膜性能的關鍵。為了幫助半導體薄膜沉積系統更好、更高效的運行，電壓放大器與壓電納米定位臺系統在其中作用功不可沒，今天Aigtek安泰電子就為大家具體分享一下。

　　半導體薄(bo)膜(mo)(mo)沉(chen)積(ji)，其作用是通過物理或(huo)化(hua)學(xue)的(de)方法(fa)將金屬薄(bo)膜(mo)(mo)（如鋁、銅、鎢、鈦等）和氧化(hua)物（如二(er)氧化(hua)硅(gui)、氮(dan)化(hua)硅(gui)）等材料重(zhong)復堆疊沉(chen)積(ji)在(zai)晶圓(yuan)表面(mian)，薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)厚度范圍在(zai)納米(mi)級到微米(mi)級，在(zai)這些薄(bo)膜(mo)(mo)上可以進行光刻、刻蝕等工藝，最終形成各層電路結構。

　　薄膜沉(chen)(chen)積設備按照工(gong)藝原理(li)不同(tong)可分為PVD、CVD及(ji)ALD設備，分別對應物(wu)理(li)氣相(xiang)沉(chen)(chen)積（PVD）、化學氣相(xiang)沉(chen)(chen)積（CVD）和原子(zi)層沉(chen)(chen)積（ALD）三種(zhong)工(gong)藝原理(li)。

　　由(you)于芯片(pian)制程所用晶圓尺寸(cun)不斷(duan)增(zeng)加，而(er)最小(xiao)特征尺寸(cun)不斷(duan)減小(xiao)，這對(dui)于薄膜(mo)性能參數精細化要求大幅提(ti)(ti)高(gao)，均勻度(du)、臺階覆蓋率(lv)、溝槽填(tian)充成為衡量薄膜(mo)沉(chen)(chen)積質量的重要指(zhi)標，所以薄膜(mo)沉(chen)(chen)積設備需集(ji)成高(gao)電壓(ya)大功率(lv)的驅(qu)動、超(chao)高(gao)精密運動部件來實現晶圓表面薄膜(mo)沉(chen)(chen)積，幫助(zhu)改善制造工(gong)藝，提(ti)(ti)高(gao)良(liang)品率(lv)。

　　電(dian)壓放大器在該系統中的作用(yong)

　　（1）控制薄(bo)膜(mo)沉積(ji)厚度和均(jun)勻性

　　在半導體薄(bo)膜(mo)沉積(ji)過程(cheng)中(zhong)，需要精確控制(zhi)(zhi)薄(bo)膜(mo)的厚度(du)和均勻性(xing)。電(dian)(dian)壓(ya)放(fang)大(da)器(qi)可(ke)以通過調(diao)節沉積(ji)過程(cheng)中(zhong)的電(dian)(dian)壓(ya)，實現對(dui)薄(bo)膜(mo)厚度(du)的控制(zhi)(zhi)。同時(shi)，通過設計適當的放(fang)大(da)器(qi)電(dian)(dian)路，可(ke)以實現對(dui)薄(bo)膜(mo)均勻性(xing)的控制(zhi)(zhi)。

　　（2）提高沉(chen)積速率(lv)和效率(lv)

　　電壓放大器可(ke)以(yi)通過提(ti)高沉(chen)積(ji)過程中的(de)電流密度，從而提(ti)高沉(chen)積(ji)速率(lv)和效率(lv)。這不(bu)僅可(ke)以(yi)縮(suo)短沉(chen)積(ji)時(shi)間，降低生產成本，還可(ke)以(yi)提(ti)高薄膜(mo)的(de)結(jie)晶質量和性能。

　　（3）優化薄膜結構和(he)性能(neng)

　　電(dian)壓(ya)放大器(qi)(qi)的輸出信(xin)號(hao)可以(yi)調(diao)制沉積過(guo)程(cheng)中(zhong)的反(fan)(fan)應氣體(ti)流量、溫度(du)等參數，從而實現對(dui)薄膜結構和性能的優化。例如，通過(guo)調(diao)制反(fan)(fan)應氣體(ti)的流量，可以(yi)控(kong)制薄膜中(zhong)的摻雜濃度(du)和分(fen)布，進一步(bu)提高器(qi)(qi)件的性能。

　　（4）實時監測和控制沉(chen)積(ji)過程

　　電壓放大器可(ke)(ke)以用于(yu)實時(shi)監測和(he)(he)控制沉積過程(cheng)。通過檢(jian)測放大器的輸出信(xin)號，可(ke)(ke)以獲取薄膜生長(chang)過程(cheng)中的各種信(xin)息，如厚(hou)度、組分、應力等。這些信(xin)息可(ke)(ke)以用于(yu)實時(shi)調整沉積條件，保證沉積過程(cheng)的穩定性和(he)(he)可(ke)(ke)靠(kao)性。

　　壓(ya)電壓(ya)電納米定位臺在(zai)該系統(tong)中的(de)作(zuo)用

　　它(ta)在該系統(tong)中也有著重要作用，首先它(ta)可以控制薄(bo)膜厚度(du)和(he)均勻性，并提(ti)高沉積速率，改善薄(bo)膜質量；其次(ci)，使用該設(she)備可以實現納米級加工(gong)，并很好地調整晶圓(yuan)、加熱盤(pan)和(he)噴(pen)淋板位置，使三(san)者同心(xin)放置；最后(hou)，加熱盤(pan)多角(jiao)度(du)運動，使薄(bo)膜沉積更均勻。

　　ATA-2088高壓放大器

　　帶寬：（-3dB）DC~500kHz

　　電(dian)壓：800Vp-p（±400Vp）

　　電流(liu)：50mAp

　　功率：20Wp

　　壓擺率：888.4V/μs

　　ATA-2088高壓放大(da)器除(chu)了在納米定位(wei)臺驅動(dong)，及半導體薄膜沉積系統中有(you)良好應用，還在超聲測試、無損(sun)檢測、驅動(dong)壓電(dian)陶瓷、介電(dian)電(dian)泳(yong)細胞(bao)分選、超聲霧化、超聲聚焦等眾多尖端科技研(yan)究中應用廣泛。

西安安泰電(dian)子是專(zhuan)業從事功(gong)率放(fang)大器、高壓放大器、功率放大器模塊、功(gong)率信(xin)號源、射頻功率放大器、前置微小信(xin)號放大器、高精度電壓源、高(gao)精度電流源等電子測量儀器(qi)研發(fa)、生產(chan)和(he)銷(xiao)售的高(gao)科技(ji)企業，為(wei)用戶(hu)提供具有(you)競爭(zheng)力的測試(shi)方案。Aigtek已(yi)經(jing)成為(wei)在業界擁有(you)廣泛產(chan)品線(xian)，且具有(you)相當規模的儀器(qi)設備供應商，樣機都(dou)支持(chi)免費試(shi)用。如(ru)想了解更(geng)多功率放大器(qi)等產(chan)品，請(qing)持(chi)續關注安(an)泰(tai)電子官網hkdyw.cn或(huo)撥打(da)029-88865020。