電壓放大器在反射式小型光學電場傳感器中的應用
實驗名稱:電壓放大器在反射式小型光學電場傳感器中的應用
實驗目的(de):為(wei)了同(tong)時實現對直(zhi)流電場、交變電場和瞬態電場的(de)測量(liang),通過瓊斯矩(ju)陣計(ji)算,建立基于泡克爾(er)效(xiao)應的反射式光學電(dian)場傳感(gan)探(tan)頭的理論傳感(gan)模型,分析錠酸鋰晶體長(chang)度、晶體切型、溫度以(yi)及封裝應力(li)對探(tan)頭傳感(gan)性(xing)能的影(ying)響。
實驗設備:函數發生器、電壓放大器( Aigtek,ATA-7030)、電極(ji)板、光(guang)源、保偏環形器、光(guang)電探測器、數據采(cai)集卡、LabVIEW信(xin)號分(fen)析顯示軟(ruan)件、探頭組成。
實驗(yan)過程:
交變電場(chang)實驗:
系統運(yun)行原理如下(xia):函數發生器產生一個頻率和幅值可調的電壓信號,電壓放大器將該信號放大0~1000倍后導入電極板產生交變電場,探頭經Pockels效應轉換電場信息為光強,再由光電探測器轉換為電壓,采集卡同時采集電壓放大器縮小1000倍后的參考電壓和光電探測器的輸出電壓,經LabVIEW軟件分析后顯示電壓信號。


交變電(dian)場實驗裝置(zhi)
設置函數發(fa)生器發(fa)出(chu)頻率為10、5 000 Hz,幅值為3V的方波,電壓放大器放大1000倍,采集到的方波信號波形如圖所示.圖中,ARer為參考信號幅值,AoEs為探頭測得信號幅值.可以看出,隨著頻率的增大,表征參考信號的波形曲線Ref出現失真,這是由電壓放大器性能導致的,而表征探頭實測信號的波形曲線OES與輸出Ref波形一致.由此可知,探測信號真實反映了實際電場信號.
實驗結果(guo):
AoEs與電場強度E的關系曲線可以看出,探頭對不同頻率下電場的響應幅值均隨電場強度的增大而線性增大,且 10~5000 Hz范圍內的線性趨勢基本一致.不同頻率下測量幅值-電場強度曲線差異初步分析可能由系統誤差造成,包括光電探測器在不同頻率下的光電轉換效率差異、不同頻率下電壓放大器實際輸出電壓與參考電壓間的差異.


綜上所(suo)述(shu),反射式小型(xing)光學電場傳感(gan)器在場強[0.7,105.0] kV/m下對ms 級(ji)交(jiao)流電場具有較好的線性響應。
電壓放大(da)器ATA-7030高壓放大器參數指標:

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本實驗(yan)文(wen)章引(yin)用自知網論文(wen)《反(fan)射式小型光學電場(chang)傳(chuan)感器》
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