類似(si)NPN外延硅(gui)晶(jing)體(ti)管的(de)(de)S8050主要用(yong)(yong)(yong)于開關和(he)放大目(mu)的(de)(de)，因此它是不同電路設計(ji)中最常用(yong)(yong)(yong)的(de)(de)晶(jing)體(ti)管之一。S8050晶(jing)體(ti)管具有出色的(de)(de)最大增(zeng)益容(rong)量，例如400，但正常增(zeng)益約為110，因此適用(yong)(yong)(yong)于放大器。

　　顧名思義(yi)，S8050晶(jing)體管包括三層(ceng)，其中P摻(chan)雜(za)(za)(za)層(ceng)封(feng)裝在兩個N摻(chan)雜(za)(za)(za)層(ceng)之(zhi)間。基極(ji)端(duan)是P摻(chan)雜(za)(za)(za)層(ceng)，而(er)其他兩個端(duan)子如發射極(ji)和集電極(ji)分別是N摻(chan)雜(za)(za)(za)層(ceng)。

　　基本構造

　　S8050是一種高電(dian)(dian)流和低電(dian)(dian)壓晶體(ti)管，其集(ji)電(dian)(dian)極電(dian)(dian)流為(wei)(wei)700mA，集(ji)電(dian)(dian)極-發射(she)極電(dian)(dian)壓（VCE）為(wei)(wei)25V。為(wei)(wei)了非常(chang)安全地操作該晶體(ti)管，該晶體(ti)管的基(ji)極電(dian)(dian)流必須限(xian)制在5mA以內。

　　S8050是(shi)一款具有高電(dian)(dian)流(liu)和低電(dian)(dian)壓能力(li)的(de)NPN晶體(ti)管，該(gai)晶體(ti)管是(shi)一個三端元件，包括(kuo)發(fa)射極(ji)(ji)、基極(ji)(ji)和集電(dian)(dian)極(ji)(ji)，可用于通過不(bu)同的(de)電(dian)(dian)路進行外部連接。與集電(dian)(dian)極(ji)(ji)和基極(ji)(ji)這兩個端子(zi)相比(bi)，無論發(fa)射極(ji)(ji)摻雜程度如何，這三個端子(zi)的(de)摻雜濃度都是(shi)不(bu)同的(de)。

　　晶(jing)體管(guan)中的基極端(duan)子(zi)(zi)(zi)可以輕摻雜，而集(ji)電極端(duan)子(zi)(zi)(zi)可以適(shi)度(du)摻雜。在S8050晶(jing)體管(guan)中，一個端(duan)子(zi)(zi)(zi)的小電流主(zhu)要用(yong)于控制其余端(duan)子(zi)(zi)(zi)的大電流。

　　眾所周知，晶(jing)體(ti)管(guan)有(you)兩(liang)種類型(xing)，分(fen)別(bie)是UJT和(he)BJT，其(qi)中(zhong)S8050晶(jing)體(ti)管(guan)屬于BJT（雙極結型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)）類別(bie)。因(yin)此(ci)，這些晶(jing)體(ti)管(guan)具有(you)兩(liang)個電荷載流子，例如空穴和(he)電子，其(qi)中(zhong)大部分(fen)電荷載流子是電子。

　　此外(wai)，S8050晶體管(guan)包括(kuo)兩個PN結，如EB和CB。這里EB結是正(zheng)(zheng)向偏置(zhi)(zhi)的(de)，而(er)CB結是反向偏置(zhi)(zhi)的(de)。為了使(shi)S8050晶體管(guan)具(ju)有(you)更好的(de)性能，它必須在正(zheng)(zheng)向偏置(zhi)(zhi)條件下運行。

　　引腳配置

　　S8050晶體管(guan)包括三個(ge)引腳，其(qi)引腳配置及其(qi)符號如(ru)下(xia)所示：

　　Pin1（發射(she)極(ji)）：電流將使用此端子排出。

　　Pin2(基極(ji))：晶體管偏置可以通過這(zhe)個端(duan)子控制。

　　Pin3（集電(dian)極）：通過(guo)該(gai)端子提供的電(dian)流。

　　特性和規格

　　S8050晶體管的(de)特性和(he)規格(ge)包括以下(xia)幾點內容：

　　封(feng)裝類型為TO-92

　　晶體管的(de)類(lei)型是NPN(BJT)

　　集電(dian)極(ji)電(dian)流最(zui)大值(zhi)(IC)為700mA/0.7A

　　集電(dian)(dian)極到發射極的電(dian)(dian)壓(VCE)最(zui)大(da)值為20V

　　集電極(ji)到基極(ji)的電壓(VCB)Max為30V

　　從(cong)發射極到基極的(de)電壓(VBE)Max為5V

　　集電極(Pc)最大耗散為(wei)1瓦

　　轉換頻率(lv)(fT)最大值(zhi)為100MHz

　　直流(liu)電流(liu)增益(yi)(hFE)最小值(zhi)40–400

　　工(gong)作溫(wen)度(du)（最(zui)高）范(fan)圍為(wei)-65至+150°C

　　大電流低壓晶體管

　　小信號晶體管

　　最大功率為2W

　　正向電流(liu)傳輸比/hFE值120

　　轉換頻率(lv)為150MHz

　　晶體(ti)管Si使用的材料

　　工作原理

　　在S8050NPN晶體(ti)管中(zhong)，當基極接地(di)時(shi)，發射極和集電(dian)極等兩(liang)個端子都將(jiang)(jiang)反向(xiang)(xiang)偏置(zhi)，當向(xiang)(xiang)基極引腳提供信號時(shi)，它們將(jiang)(jiang)關閉（正向(xiang)(xiang)偏置(zhi)）。該晶體(ti)管的最大(da)增益值為300，此值將(jiang)(jiang)決定(ding)放大(da)能力。如果放大(da)率很高，則將(jiang)(jiang)其用于放大(da)。

　　但是，集電極(ji)電流的(de)增(zeng)益值(zhi)將是110，并且(qie)整個集電極(ji)端(duan)子(zi)的(de)最大電流供應(ying)是700mA，因此無法通過(guo)該晶體管通過(guo)700mA以上的(de)電流來控制不同的(de)負載(zai)。一旦(dan)向(xiang)必須限(xian)制在(zai)5mA的(de)基極(ji)引腳提供電流供應(ying)，晶體管就可(ke)以被偏置(zhi)。

　　如果晶體(ti)管(guan)完全偏(pian)置，則(ze)它允許高(gao)達700mA的(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)通過發射極(ji)和集電(dian)(dian)(dian)極(ji)端子提(ti)供，因此該階(jie)段(duan)稱為(wei)飽(bao)和區。VCE或VCB上使用的(de)典型電(dian)(dian)(dian)壓相(xiang)應為(wei)20V和30V。一旦(dan)在晶體(ti)管(guan)的(de)基極(ji)端移(yi)除(chu)電(dian)(dian)(dian)流(liu)源，它將(jiang)被關閉(bi)，因此這個(ge)階(jie)段(duan)稱為(wei)截止區域(yu)。

　　替代S8050晶(jing)(jing)體(ti)管是2N2369、2N3904、2N3055、MPSA42、BC547、S9014、2N3906、SS8050等；等效的S8050晶(jing)(jing)體(ti)管是S9013和2N5830。

　　操作注意事項

　　S8050晶體管應在(zai)低于(yu)20V的電(dian)壓下運(yun)行，以在(zai)電(dian)子(zi)項目(mu)的電(dian)路中安全運(yun)行。

　　電路中的負載(zai)應在0.7A/700mA下工作(zuo)。

　　應使用適當的基極(ji)電阻將基極(ji)端子的電流限(xian)制在必要(yao)的水平。

　　請勿(wu)將其暴露在150°C以上(shang)和-60°C以下的環(huan)境(jing)中。

　　應用電路

　　使用(yong)S8050晶體管的示(shi)例推挽電路如下圖所示(shi)。在該(gai)電路中(zhong)，S8050晶體管通(tong)過B類放大器(qi)發(fa)揮關鍵作用(yong)。

　　通常(chang)情況下，B類放(fang)(fang)大器(qi)也稱為推挽放(fang)(fang)大器(qi)。它是一種多(duo)級放(fang)(fang)大器(qi)，常(chang)用于揚聲(sheng)器(qi)內的音頻放(fang)(fang)大。該電路的設計非常(chang)簡(jian)單，只(zhi)需(xu)要(yao)兩個相等的互補(bu)晶體管即(ji)可(ke)。

　　什么是(shi)互(hu)(hu)補(bu)？互(hu)(hu)補(bu)就(jiu)是(shi)如果需要一個(ge)NPN晶體(ti)(ti)(ti)管，那么它(ta)的互(hu)(hu)補(bu)就(jiu)是(shi)PNP晶體(ti)(ti)(ti)管。同樣，S8050是(shi)NPN晶體(ti)(ti)(ti)管，因此其(qi)互(hu)(hu)補(bu)晶體(ti)(ti)(ti)管將是(shi)S8550PNP晶體(ti)(ti)(ti)管。

　　S8050三極(ji)管(guan)是一種常(chang)見的NPN三極(ji)管(guan)，主要用于不同應用的電路，如(ru)基于開關(guan)的電子電路、音頻放大器等(deng)。

　　主要應用

　　S8050晶體管應用主要包(bao)括以下幾點內容：

　　S8050是一種(zhong)理(li)想(xiang)的晶體(ti)管，用(yong)于(yu)實現不同電(dian)子(zi)電(dian)路中的一般(ban)任務(wu)。該(gai)晶體(ti)管可用(yong)作電(dian)路中的開關，可激活低于(yu)700mA的負載，例(li)如LED、繼(ji)電(dian)器(qi)、燈泡等。

　　S8050晶(jing)體(ti)管還用作小放大(da)相(xiang)位內的(de)(de)放大(da)器，否則就像(xiang)單獨的(de)(de)放大(da)器一(yi)樣。

　　應用于B類放大器。

　　低信號應用。

　　推挽電路。

　　開(kai)關電路中的負(fu)載。

　　從低增(zeng)益(yi)到高增(zeng)益(yi)放大。

　　音頻放大電路。

　　在需要高增(zeng)益的電路中使(shi)用。

　　以(yi)(yi)上就是關(guan)于S8050晶體管(guan)的(de)(de)(de)相關(guan)知識介紹(shao)。可以(yi)(yi)看出，S8050是一(yi)種信(xin)號小、電(dian)(dian)(dian)(dian)壓低、電(dian)(dian)(dian)(dian)流大的(de)(de)(de)通用晶體管(guan)，用于在電(dian)(dian)(dian)(dian)子電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)中(zhong)執(zhi)行不同(tong)(tong)的(de)(de)(de)任務。當然，這種晶體管(guan)主要用作開關(guan)，控制不同(tong)(tong)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)中(zhong)700mA以(yi)(yi)下的(de)(de)(de)負載。